导师风采
0809电子科学与技术

贺晶

  • 学院

    :理学院

  • 导师类别

    :硕士生导师

  • 出生年月

    :198310

  • 职称

    :讲师

  • 学历

    :研究生

  • 学位

    :博士

个人简介:

        2003年9月至2007年6月就读于四川大学金属材料工程专业,并取得学士学位;2007年9月至2010年6月就读于四川大学纳米材料与纳米技术专业,并取得硕士学位;2011年4月至2015年6月工作于武汉华夏理工学院,任教师;2015年9月至2020年8月就读于华中科技大学微电子学与固体电子学专业,并取得博士学位。目前主要从事5G通讯领域、阻变存储器及类脑功能模拟方向的研究。


招生信息

        1.招生学科:电子科学与技术,电子信息

        2.研究方向:微电子器件及工艺

        3.招生年度:2023


科研项目

        1.面向5G领域的薄膜体声波滤波器和xxx若干问题研究——光刻工艺对薄膜侧壁倾角影响的研究.企业合作项目,2021.01-2021.12,主持

        2.基于XXXX的拟人脑结构系统关键技术,中央军委科学技术委员会,2017.08-2019.07,参与

        3.基于XXXX的智能化人机交互关键技术,,中央军委装备发展部,2015.07-2017.07,参与


成果获奖

        1. Jing He, Jie Zhu, Changcheng Ma, Jingjing Lu, and Zuoqi Hu. Negative differential resistance and multilevel resistive switching in BaSrTiO3 films. Applied Physics Letters, 115, 072101 (2019).

        2.Jing He, Jie Zhu, Changcheng Ma, Jingjing Lu, and Zuoqi Hu. Resistive switching characteristics of polycrystalline Ba0.5Sr0.5TiO3 films. Advances in Functional Materials Conference 2018, InterContinental Nanjing, China.

        3. Jie Zhu,Jing He, Jingjing Lu, Changcheng Ma , Xiongfei Tao , Weizhong Liu, Zhuoming Feng, Li Chang, Yuanyuan Li, and Zuoqi Hu*,Resistive switching characteristics of resistive random access memory based on a BaxSr1-xTiO3 thin film grown by a hydrothermal method. IEEE Electron Device Letters, 40, 1411-1414 (2019).

        4. Changcheng Ma,Jing He, Jingjing Lu, Jie Zhu, and Zuoqi Hu*, Impact of scaling on thermoelectric heating process in the reset operation of phase-change memory cells. Japanese Journal of Applied Physics 58, 105003 (2019).

        5. Changcheng Ma,Jing He, Jingjing Lu, Jie Zhu and Zuoqi Hu*, Modeling of the temperature profiles and thermoelectric effects in phase change memory cells. Appl. Sci. 8, 1238 (2018).

        6. Jingjing Lu*, Changcheng Ma,Jing He, Jie Zhu, Zuoqi Hu, The enhanced electric field tunability of the microwave magnetoelectric effect in the YIG/Terfenol-D/PZT structure and its application. Physica B: Condensed Matter 566, 116–120 (2019).

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